一種平面波導(dǎo)器件的生產(chǎn)工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811515362.9 申請日 -
公開（公告）號 CN109324369A 公開（公告）日 2019-02-12
申請公布號 CN109324369A 申請公布日 2019-02-12
分類號 G02B6/132 分類 光學(xué);
發(fā)明人 袁曉君;徐彥平;廖鵬;耿凱鴿 申請（專利權(quán)）人 科新網(wǎng)通科技有限公司
代理機構(gòu) 北京細軟智谷知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 科新網(wǎng)通科技有限公司
地址 471000 河南省洛陽市伊濱區(qū)科技大廈A座6007室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種平面波導(dǎo)器件的生產(chǎn)工藝，包括以下步驟：以硅片為基體，在硅片的上表面和下表面同時長一層高溫二氧化硅膜；然后通過CVD沉積法在位于下層的二氧化硅表面沉積一層TEOS膜，再在位于上層的二氧化硅表面沉積一層TEOS膜；進行退火處理；在位于上層的TEOS膜的表面沉積一層氮氧化硅膜；然后進行退火；在氮氧化硅膜的表面再次沉積一層氮氧化硅膜作為波導(dǎo)芯層；在波導(dǎo)芯層的表面沉積一層TEOS膜，再在TEOS膜的表面沉積一層二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜上沉積一層TEOS膜，再退火，即可。本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明所述生產(chǎn)工藝，以氮氧化硅為材料制備出一種具有較高折射率且折射率均勻性好的平面波導(dǎo)器件。