低氧低雜多晶硅鑄錠方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911351510.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110983438B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN110983438B 申請公布日 2022-03-22
分類號 C30B28/06（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;B05D7/24（2006.01）I;B05D1/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳雪 申請（專利權(quán)）人 天合光能（常州）科技有限公司
代理機構(gòu) 浙江永鼎律師事務(wù)所 代理人 郭小麗
地址 213031江蘇省常州市新北區(qū)天合光伏產(chǎn)業(yè)園天合路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種低氧低雜多晶硅鑄錠方法，屬于多晶鑄錠技術(shù)領(lǐng)域。它包括以下步驟：A、坩堝噴涂，將坩堝噴涂氮化硅溶液，B裝料，籽晶裝入坩堝底部，將硅料裝入坩堝中，投入鑄錠爐，C、加熱熔化，抽真空條件下，沖入氬氣保持流量穩(wěn)定，保持底部籽晶不熔，硅料熔化，D、長晶，逐步增大隔熱籠開度，控制長晶速度，實現(xiàn)定向凝固，E、退火冷卻，對長晶結(jié)束的鑄錠進行冷卻退火，出爐進一步冷卻，去除坩堝獲得多晶硅錠。本發(fā)明制備的單晶硅氧含量和雜質(zhì)均較低，降低氧含量有利于降低碳化硅的生產(chǎn)，減低碳化硅和氮化硅的雜質(zhì)有利于提高晶體質(zhì)量，同時提高晶體的良率，降低鑄錠成本。