片層自組裝結(jié)構(gòu)二硫化釩@四硫化釩納米材料及其制備方法、倍率性能優(yōu)異可充電電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210350246.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114665078A 公開（公告）日 2022-06-24
申請公布號 CN114665078A 申請公布日 2022-06-24
分類號 H01M4/36（2006.01）I;H01M4/58（2010.01）I;H01M10/054（2010.01）I;C01G31/00（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 韓闐俐;王艷;陳中和;胡蕓菲;張雅雯;劉金云 申請（專利權(quán)）人 安徽師范大學(xué)
代理機構(gòu) 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)花津南路安徽師范大學(xué)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了片層自組裝結(jié)構(gòu)二硫化釩@四硫化釩納米材料及其制備方法、倍率性能優(yōu)異可充電電池，首先利用價格低廉的原料制備得到玫瑰狀VS2納米片，通過二次水熱法得到VS2@VS4片層自組裝結(jié)構(gòu)納米材料，片層自組裝結(jié)構(gòu)VS2@VS4是具有單層厚度在100～400nm的納米材料，并且片層自組裝結(jié)構(gòu)VS2@VS4納米材料安全環(huán)保，價格低廉。產(chǎn)品片層自組裝結(jié)構(gòu)VS2@VS4納米材料在充放電過程中提供較多的活性位點，其片層狀結(jié)構(gòu)具有較大的比表面積，并且形成的三維層疊結(jié)構(gòu)有效解決了在充放電過程材料體積變化大的問題，提高電池循環(huán)容量、穩(wěn)定性和庫倫效率。