一種TOPCon太陽能電池的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110473045.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113193082A | 公開(公告)日 | 2021-07-30 |
申請公布號 | CN113193082A | 申請公布日 | 2021-07-30 |
分類號 | H01L31/18(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;C30B31/08(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 孫玉峰;瞿輝;曹玉甲 | 申請(專利權(quán))人 | 常州順風(fēng)太陽能科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 朱曉凱 |
地址 | 213123江蘇省常州市武進高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)陽湖路99號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種TOPCon太陽能電池的制備方法,包括以下步驟:1)以N型硅片作為襯底進行清洗制絨;2)正面硼擴散;3)背面進行酸清洗、刻蝕;4)制遂穿氧化層以及多晶硅層:先雙面生產(chǎn)一層氧化層,后采用分步法進行雙面多晶硅層的制備;5)背面磷擴散:采用兩步沉積法,先進行低溫沉積低溫推進,然后再進行高溫沉積推進,后降溫退火;6)去除正面PSG,去除正面整面多晶硅層;7)去BSG/PSG;8)雙面鈍化;9)印刷燒結(jié)。本發(fā)明通過雙面生長Poly Si的工藝很好的解決了Poly Si繞鍍的清洗問題;同時可有效提升電池的轉(zhuǎn)化效率。 |
