一種雙面選擇性發(fā)射極高效晶硅電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010258865.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111524983B 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN111524983B 申請公布日 2021-07-27
分類號 H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 袁寧一;王芹芹;丁建寧;程廣貴;王書博 申請（專利權(quán)）人 常州順風(fēng)太陽能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 謝新萍
地址 213164江蘇省常州市武進(jìn)區(qū)滆湖路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于太陽能光伏行業(yè)領(lǐng)域，具體提供了一種雙面選擇性發(fā)射極高效晶硅電池及其制備方法；采用雙面選擇性發(fā)射極的結(jié)構(gòu)，在硼摻雜的重?fù)诫s區(qū)域為氧化鋁代替氧化硅作為遂穿層的多晶硅結(jié)構(gòu)，可達(dá)到超過>1E20atom/cm的恒定表面濃度提升填充因子（FF），而輕擴(kuò)區(qū)域為單純的硼摻雜，重擴(kuò)和輕擴(kuò)的硼摻雜工藝可在一步中實現(xiàn)，簡化了流程。對于磷摻雜區(qū)域采用氧化硅作為遂穿層，重?fù)诫s區(qū)域為雙層多晶硅（poly）結(jié)構(gòu)具有高表面濃度，改善金屬化接觸，輕擴(kuò)區(qū)域為單層淺摻雜poly結(jié)構(gòu)，進(jìn)而提升開路電壓（Voc）。雙面選擇性發(fā)射極的形成有效地利用了掩膜刻蝕的方式。此結(jié)構(gòu)可有效的提升電池效率，且適合批量化生產(chǎn)。