一種雙面選擇性發(fā)射極高效晶硅電池及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010258865.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111524983A | 公開（公告）日 | 2020-08-11 |
| 申請公布號 | CN111524983A | 申請公布日 | 2020-08-11 |
| 分類號 | H01L31/0224(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 袁寧一;王芹芹;丁建寧;程廣貴;王書博 | 申請（專利權(quán)）人 | 常州順風太陽能科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務所（普通合伙） | 代理人 | 常州大學 |
| 地址 | 213164江蘇省常州市武進區(qū)滆湖路1號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于太陽能光伏行業(yè)領域，具體提供了一種雙面選擇性發(fā)射極高效晶硅電池及其制備方法；采用雙面選擇性發(fā)射極的結(jié)構(gòu)，在硼摻雜的重摻雜區(qū)域為氧化鋁代替氧化硅作為遂穿層的多晶硅結(jié)構(gòu)，可達到超過>1E20atom/cm3的恒定表面濃度提升填充因子(FF)，而輕擴區(qū)域為單純的硼摻雜，重擴和輕擴的硼摻雜工藝可在一步中實現(xiàn)，簡化了流程。對于磷摻雜區(qū)域采用氧化硅作為遂穿層，重摻雜區(qū)域為雙層多晶硅(poly)結(jié)構(gòu)具有高表面濃度，改善金屬化接觸，輕擴區(qū)域為單層淺摻雜poly結(jié)構(gòu)，進而提升開路電壓(Voc)。雙面選擇性發(fā)射極的形成有效地利用了掩膜刻蝕的方式。此結(jié)構(gòu)可有效的提升電池效率，且適合批量化生產(chǎn)。?? |
