超高頻射頻識別電子標簽芯片的片上阻抗匹配方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201410546409.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN105574578B | 公開(公告)日 | 2019-03-15 |
申請公布號 | CN105574578B | 申請公布日 | 2019-03-15 |
分類號 | G06K19/077(2006.01)I; G06K19/073(2006.01)I | 分類 | 計算;推算;計數(shù); |
發(fā)明人 | 管超; 郝先人 | 申請(專利權(quán))人 | 睿芯聯(lián)科(北京)電子科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京安博達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 睿芯聯(lián)科(北京)電子科技有限公司 |
地址 | 100085 北京市海淀區(qū)上地信息路26號中關(guān)村創(chuàng)業(yè)大廈317室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種超高頻射頻識別電子標簽芯片的片上阻抗匹配方法,通過增加阻抗匹配電路調(diào)整所述芯片的輸入阻抗,包括步驟1:構(gòu)建輸入阻抗的等效電路;等效電路為電阻并聯(lián)電容的二端網(wǎng)絡;步驟2:在等效電路的輸出端增加L型阻抗匹配電路。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的一種超高頻射頻識別電子標簽芯片的片上阻抗匹配方法,能夠在空間受限或者環(huán)境惡劣的情況下,提高超高頻射頻識別電子標簽芯片的Q值,從而保證電子標簽正常工作。 |
