多晶硅還原爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210128569.7 申請日 -
公開（公告）號 CN102659109B 公開（公告）日 2013-12-04
申請公布號 CN102659109B 申請公布日 2013-12-04
分類號 C01B33/035(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 何大偉;趙興華;蒲曉東 申請（專利權(quán)）人 四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 四川力久律師事務(wù)所 代理人 四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司
地址 614000 四川省樂山市高新區(qū)樂高大道2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多晶硅還原爐，該多晶硅還原爐包括爐架，爐架上安裝有爐體，爐架與爐體之間安裝有底盤，爐體與底盤配合構(gòu)成一中空的腔室，底盤上安裝有若干電極，電極上安裝有石墨件，硅芯棒位于腔室內(nèi)且與石墨件連接，其中，多晶硅還原爐還包括隔熱底板與隔熱罩，且隔熱底板與隔熱罩均位于腔室內(nèi)，隔熱底板安裝于底盤上，爐體的內(nèi)壁上固定安裝有若干卡扣支撐板，隔熱罩安裝于卡扣支撐板上，隔熱罩與隔熱底板一起圍成中空的反應(yīng)室，且硅芯棒位于反應(yīng)室內(nèi)。本發(fā)明的多晶硅還原爐有效防止反應(yīng)室內(nèi)的熱量被冷卻水帶走，提高了反應(yīng)室的儲熱能力，減少了電能的浪費(fèi)，提高了多晶硅的生產(chǎn)效率。