多晶硅還原爐用硅芯電極
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN200810186618.6 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN101440519B | 公開（公告）日 | 2012-02-01 |
| 申請公布號 | CN101440519B | 申請公布日 | 2012-02-01 |
| 分類號 | C30B29/06(2006.01)I;C01B33/03(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 周積衛(wèi);茅陸榮;程佳彪;郝振良 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海森和工程投資有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海百一領(lǐng)御專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海森和工程投資有限公司;森松（江蘇）重工有限公司 |
| 地址 | 201323 上海市浦東新區(qū)祝橋鎮(zhèn)金聞路29號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種多晶硅還原爐用硅芯電極，其包括有電極體、套置于該電極體頂部的加熱石墨頭硅芯、套設(shè)于電極體外緣的電極座、及位于電極體與電極座之間的絕緣套筒；電極體內(nèi)部中間形成有盲孔，電極體位于還原爐外部即盲孔的開口端設(shè)置有能使冷卻水循環(huán)進入電極體盲孔內(nèi)部對電極體進行進一步冷卻的冷卻裝置。借由本發(fā)明的硅芯電極，可以防止由于溫度過高導(dǎo)致絕緣套筒失效造成的電極擊穿現(xiàn)象。 |
