太赫茲表面等離子體波光學(xué)調(diào)制器及其調(diào)制方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110009521.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102096269B 公開(kāi)（公告）日 2012-11-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN102096269B 申請(qǐng)公布日 2012-11-28
分類(lèi)號(hào) G02F1/355(2006.01)I;H04B10/155(2006.01)I 分類(lèi) 光學(xué);
發(fā)明人 楊濤;何浩培;黃維;李興鰲;儀明東 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 南京方圓環(huán)球顯示技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 南京郵電大學(xué);南京方圓環(huán)球顯示技術(shù)有限公司
地址 210016 江蘇省南京市新模范馬路66號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公布了一種太赫茲表面等離子體波光學(xué)調(diào)制器及其調(diào)制方法，所述調(diào)制器包括一個(gè)本征半導(dǎo)體晶片、兩個(gè)平行放置的刀片或者光柵、連續(xù)波激光器和調(diào)制準(zhǔn)直系統(tǒng)以及一個(gè)溫度控制裝置。所述方法采用連續(xù)波激光器和調(diào)制準(zhǔn)直系統(tǒng)發(fā)出激光調(diào)制信號(hào)照射在本征半導(dǎo)體晶片從而改變?cè)摫菊靼雽?dǎo)體晶片表面各處的光生載流子數(shù)量；通過(guò)改變激光調(diào)制信號(hào)的光強(qiáng)對(duì)本征半導(dǎo)體晶片表面所傳輸?shù)奶掌澅砻娴入x子體波進(jìn)行調(diào)制；兩個(gè)平行放置的刀片或光柵用于將太赫茲波耦合為太赫茲表面等離子體波以及將調(diào)制后的太赫茲表面等離子體波耦合為太赫茲波。本發(fā)明制作成本低、能量損耗小，調(diào)制頻率范圍寬，可以實(shí)現(xiàn)歸零調(diào)制，可以實(shí)現(xiàn)快速調(diào)制。