太赫茲表面等離子體波溫度控制開(kāi)關(guān)及其控制方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201010578297.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN102176521B | 公開(kāi)(公告)日 | 2013-08-07 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN102176521B | 申請(qǐng)公布日 | 2013-08-07 |
分類(lèi)號(hào) | H01P1/15(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 楊濤;何浩培;儀明東;黃維;李興鰲 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 南京方圓環(huán)球顯示技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京經(jīng)緯專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 葉連生 |
地址 | 210003 江蘇省南京市新模范馬路66號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 太赫茲表面等離子體波溫度控制開(kāi)關(guān)及控制方法涉及到一種太赫茲表面等離子體波溫度控制裝置,和利用本征半導(dǎo)體等離子體頻率隨溫度變化的特性調(diào)制太赫茲表面等離子體波的一種方法。該開(kāi)關(guān)包括一個(gè)等離子體頻率在常溫下處于太赫茲波段的本征半導(dǎo)體晶片(2)、兩個(gè)平行放置的刀片(3)、以及一個(gè)溫度控制器(5),兩個(gè)刀片(3)垂直于本征半導(dǎo)體晶片(2),兩個(gè)刀片(3)的刀口離本征半導(dǎo)體晶片(2)上表面的距離小于最大頻率的太赫茲表面等離子體波(4)在空氣中的衰減距離,采用刀片(3)將太赫茲波轉(zhuǎn)化為太赫茲表面等離子體波,以及過(guò)程相反的轉(zhuǎn)化,通過(guò)溫度控制器(5)控制本征半導(dǎo)體晶片(2)溫度,從而改變?cè)摫菊靼雽?dǎo)體的載流子濃度。 |
