基于表面等離子體波的半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210111269.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102636491B 公開(kāi)（公告）日 2013-10-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN102636491B 申請(qǐng)公布日 2013-10-30
分類(lèi)號(hào) G01N21/88(2006.01)I;G01B11/30(2006.01)I 分類(lèi) 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 楊濤;何浩培;李興鰲;周馨慧;黃維 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京方圓環(huán)球顯示技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 南京郵電大學(xué);南京方圓環(huán)球顯示技術(shù)有限公司
地址 210003 江蘇省南京市新模范馬路66號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于表面等離子體波的半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)方法，用于檢測(cè)半導(dǎo)體表面平整度或半導(dǎo)體薄膜內(nèi)部缺陷。本發(fā)明利用頻率小于半導(dǎo)體等離子體頻率的電磁波入射向刀片刃口與待測(cè)半導(dǎo)體之間的狹縫，從而在半導(dǎo)體表面產(chǎn)生表面等離子體波。該表面等離子體波可以從另一刀片刃口與待測(cè)半導(dǎo)體之間的狹縫位置處耦合為空間輻射電磁波，從而被探測(cè)器接收。通過(guò)改變刀片與半導(dǎo)體在水平方向的相對(duì)位置，當(dāng)待測(cè)半導(dǎo)體表面或內(nèi)部存在的缺陷的位置有表面等離子體波經(jīng)過(guò)時(shí)，出射電磁波信號(hào)會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)變化，從而可根據(jù)此原理對(duì)半導(dǎo)體表面不平整或半導(dǎo)體內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢測(cè)。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明方法具有適用范圍廣、使用靈活、檢測(cè)精度高、檢測(cè)樣品無(wú)損傷等優(yōu)點(diǎn)。