一種利用液固相分離制備電子封裝用高硅鋁復(fù)合材料的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510521926.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106475545A 公開(kāi)（公告）日 2017-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN106475545A 申請(qǐng)公布日 2017-03-08
分類號(hào) B22D17/00(2006.01)I;C22C21/02(2006.01)I 分類 鑄造；粉末冶金;
發(fā)明人 劉俊友;李艷霞;尹衍利;黃瑛;周洪宇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京科大科技園有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100083 北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號(hào)北京科技大學(xué)方興大廈6層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種制備高硅含量(40-70wt.％Si)硅鋁復(fù)合材料的方法。采用熔鑄法制備低硅鋁合金坯料，Si含量為20-30wt.％；坯料加熱至鋁硅二元合金液固兩相溫度區(qū)(共晶溫度以上5～30℃)，保溫一定時(shí)間獲得半固態(tài)漿料6；漿料6置于帶有分離機(jī)構(gòu)5的模具型腔8中，通過(guò)壓頭9施加一定壓力，使液相通過(guò)分離機(jī)構(gòu)5流入型腔3中，留在型腔8中的剩余富硅相半固態(tài)漿料在壓力作用下凝固，獲得含(40-70wt.％)Si的高硅鋁復(fù)合材料。該工藝方法流程短、成本低，制備的高硅鋁材料具有高致密度、輕質(zhì)、低膨脹、高導(dǎo)熱、良好的力學(xué)性能等特點(diǎn)，適用于高性能電子封裝殼體制作。