一種磷化銦襯底晶片的清洗方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111045844.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113793801A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113793801A 申請(qǐng)公布日 2021-12-14
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭金龍;周鐵軍;馬金峰;劉良副;董晨晨;曾琦;宋向榮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東先導(dǎo)微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 朱偉雄
地址 511517廣東省清遠(yuǎn)市高新區(qū)創(chuàng)興三路16號(hào)A車(chē)間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種磷化銦襯底晶片的清洗方法，包括：將晶片依次采用熱硫酸和冷硫酸浸泡處理，再進(jìn)行S1清洗液、S2清洗液和S3清洗液清洗，最后再采用雙氧水清洗。本發(fā)明的磷化銦襯底晶片的清洗方法得到的清洗表面雜質(zhì)離子含量比現(xiàn)有工藝更低，降低了外延的缺陷率，使外延層與磷化銦襯底層更為匹配，不僅明顯優(yōu)化和改善了襯底表面質(zhì)量，在不破壞晶片拋光后粗糙度的前提下，能夠降低氧化層厚度、且能有效控制表面白霧和表面雜質(zhì)含量，而且本發(fā)明的清洗工藝顯著地提高了產(chǎn)品的成品率，極大地降低了生產(chǎn)成本。