半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其晶圓傳輸裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111554180.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114220762A 公開（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN114220762A 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L21/683（2006.01）I;H01L21/677（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉英偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京國昊天誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高東
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其晶圓傳輸裝置，包括晶圓吸盤和傳輸臂，所述晶圓吸盤與所述傳輸臂連接，其中：所述晶圓吸盤開設(shè)有多個(gè)負(fù)壓槽和多個(gè)氣道，多個(gè)所述負(fù)壓槽的尺寸不同，多個(gè)所述氣道用于與多個(gè)所述負(fù)壓槽一一對(duì)應(yīng)連通，所述傳輸臂開設(shè)有負(fù)壓通道，所述負(fù)壓通道用于與多個(gè)所述氣道連通，用于使對(duì)應(yīng)的所述負(fù)壓槽內(nèi)形成負(fù)壓；多個(gè)所述負(fù)壓槽的槽口邊緣分別形成相應(yīng)的負(fù)壓吸附接觸部，多個(gè)所述負(fù)壓吸附接觸部分別用于與不同尺寸的晶圓抵接，所述晶圓在所述負(fù)壓槽的負(fù)壓作用下吸附于所述負(fù)壓吸附接觸部。上述方案可以解決晶圓吸盤吸附不同尺寸的晶圓時(shí)，需要使用不同的晶圓傳輸裝置或更換不同的晶圓吸盤而存在工作效率較低的問題。