上電極組件及半導體工藝腔室

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111563611.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114220752A 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN114220752A 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L21/67（2006.01）I;H01J37/32（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉建;王炳元 申請（專利權(quán)）人 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
代理機構(gòu) 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高東
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種上電極組件及半導體工藝腔室，所述上電極組件包括射頻線圈（100）、供電裝置和過溫保護裝置（300）；所述過溫保護裝置（300）包括盒體（310）和溫度控制件（320），所述溫度控制件（320）設置于所述盒體（310）上，所述盒體（310）開設有內(nèi)腔（310a），所述射頻線圈（100）的至少部分位于所述內(nèi)腔（310a）中，所述射頻線圈（100）與所述供電裝置通過所述溫度控制件（320）電連接，所述溫度控制件（320）用于檢測所述內(nèi)腔（310a）的溫度，當所述內(nèi)腔（310a）的溫度大于預設溫度時，所述溫度控制件（320）斷路，以使所述射頻線圈（100）與所述供電裝置斷路。上述方案能夠解決半導體工藝腔室的安全性和可靠性較差的問題。