半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其靜電卡盤組件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122406076.2 申請日 -
公開（公告）號 CN216120252U 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN216120252U 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L21/683（2006.01）I;H05K7/20（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐希文 申請（專利權(quán)）人 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 施敬勃
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其靜電卡盤組件，包括基座（100）、絕緣件（200）、連接組件（300）和導(dǎo)熱層（400），其中：所述絕緣件（200）設(shè)置于所述基座（100）上，用于承載晶圓，所述絕緣件（200）通過所述連接組件（300）與所述基座（100）連接，所述導(dǎo)熱層（400）設(shè)于所述基座（100）與所述絕緣件（200）之間，所述基座（100）通過所述導(dǎo)熱層（400）向所述絕緣件（200）傳遞熱量。上述方案可以解決在基座（100）向絕緣件（200）傳遞熱量時(shí)，基座（100）與絕緣件（200）之間因粘接失效，而導(dǎo)致基座（100）對絕緣件（200）加熱不良的問題。