一種提高性能的硅基有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710612647.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107221610B 公開(kāi)（公告）日 2019-03-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN107221610B 申請(qǐng)公布日 2019-03-12
分類號(hào) H01L51/52（2006.01）I; H01L27/32（2006.01）I; H01L51/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 季淵; 沈偉星 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京邁智芯微光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海旭誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭立
地址 211113 江蘇省南京市江寧區(qū)梅林街18號(hào)（江寧開(kāi)發(fā)區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種提高性能的硅基有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法，涉及硅基有機(jī)發(fā)光領(lǐng)域，包括硅基底、金屬?氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、第一金屬層、通孔、底電極，有機(jī)發(fā)光層、頂電極和薄膜封裝層，所述金屬?氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管位于硅基底中，所述底電極凸出于所述硅基底表面，所述底電極的邊緣由絕緣鈍化物包覆，所述有機(jī)發(fā)光層覆蓋于底電極和絕緣鈍化物之上，所述頂電極覆蓋于所述有機(jī)發(fā)光層之上，所述薄膜封裝層覆蓋于所述頂電極之上。本發(fā)明所述的硅基有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法，將通孔偏置并且對(duì)底電極進(jìn)行包邊處理，極大提高了有機(jī)發(fā)光層鋪設(shè)時(shí)的平整度，提高了發(fā)光效率。