一種硅基有機發(fā)光器件底電極結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710614191.4 申請日 -
公開（公告）號 CN107331793B 公開（公告）日 2019-06-14
申請公布號 CN107331793B 申請公布日 2019-06-14
分類號 H01L51/52（2006.01）I; H01L51/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 季淵; 沈偉星 申請（專利權(quán)）人 南京邁智芯微光電科技有限公司
代理機構(gòu) 上海旭誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 南京邁智芯微光電科技有限公司;南京昀光科技有限公司
地址 210006 江蘇省南京市秦淮區(qū)牽牛巷16號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅基有機發(fā)光器件底電極結(jié)構(gòu)及其制造方法，涉及硅基有機發(fā)光領(lǐng)域，其中硅基有機發(fā)光器件底電極包括第一金屬層、連接孔、透明絕緣膜、有機接觸層，硅基底中含有金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，連接孔設(shè)置于透明絕緣膜中，有機接觸層通過連接孔連接至第一金屬層，第一金屬層連接至金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的輸出端。連接第一金屬層和有機接觸層的連接孔設(shè)置在底電極的邊緣位置或四角位置且突出于發(fā)光區(qū)。絕緣鈍化物包覆有機接觸層的外圍邊緣。本發(fā)明的硅基有機發(fā)光器件底電極結(jié)構(gòu)將反光層下移，通孔偏置并且對電極進行覆蓋絕緣鈍化物處理，極大提高了有機發(fā)光層鋪設(shè)時的平整度并減小了電極厚度，提高了發(fā)光效率和良品率。