一種硅基發(fā)光器件電極結(jié)構(gòu)及其制備工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710612643.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107394056B 公開(kāi)（公告）日 2019-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN107394056B 申請(qǐng)公布日 2019-04-30
分類號(hào) H01L51/52（2006.01）I; H01L51/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 季淵; 沈偉星 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京邁智芯微光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海旭誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭立
地址 211113 江蘇省南京市江寧區(qū)梅林街18號(hào)（江寧開(kāi)發(fā)區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種硅基發(fā)光器件電極結(jié)構(gòu)及其制備工藝，電極結(jié)構(gòu)由硅基接觸層、光反射層和有機(jī)接觸層組成，其中所述電極結(jié)構(gòu)從硅基底開(kāi)始依次為硅基接觸層、光反射層和有機(jī)接觸層；所述電極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述硅基底呈角度，且所述電極結(jié)構(gòu)與相鄰凹槽的寬深比不小于2：1。本發(fā)明所述的制備工藝，使用真空蒸發(fā)、濺射、離子鍍膜或PECVD方法產(chǎn)生所述硅基接觸層、光反射層和有機(jī)接觸層，在刻蝕過(guò)程采用多套掩膜版和不同濃度的刻蝕劑使得刻蝕后所述電極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述硅基底呈角度，并且在垂直于襯底的方向上過(guò)刻；所述電極寬度不大于20μm；所述硅基底中包含驅(qū)動(dòng)電路。本所述的電極結(jié)構(gòu)在側(cè)壁上具有斜面和臺(tái)階，有效降低沉積源斜向?yàn)R射引起的陰影問(wèn)題。