量子阱發(fā)光結(jié)構(gòu)、GaN基綠光發(fā)光二極管及生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010385334.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111525004A 公開（公告）日 2020-08-11
申請公布號 CN111525004A 申請公布日 2020-08-11
分類號 H01L33/06(2010.01)I 分類 -
發(fā)明人 康建;焦建軍;陳向東 申請（專利權(quán)）人 圓融光電科技股份有限公司
代理機構(gòu) 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 圓融光電科技股份有限公司
地址 243000安徽省馬鞍山市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)寶慶路399號1棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種量子阱發(fā)光結(jié)構(gòu)、GaN基綠光發(fā)光二極管及生長方法，涉及半導(dǎo)體照明技術(shù)領(lǐng)域，用于解決發(fā)光二極管在驅(qū)動電流變化下藍(lán)移以及半峰寬增加的技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供的量子阱發(fā)光層具有至少一層InxGa1?xN層和至少一層InyGa1?yN層形成的層疊設(shè)置，且存在InxGa1?xN層與InyGa1?yN層相鄰設(shè)置的層疊組合，并保證0＜x＜1，0＜y＜1，x>y，利用InyGa1?yN層這一低In組分層來彌補InxGa1?xN層這一高In組分層中的缺陷。相應(yīng)的生長方法通過對量子阱進行復(fù)合增長，可以有效降低量子阱內(nèi)由于高In組分導(dǎo)致的晶格失配所引起的壓電場。??