一種制備石墨烯基底電極及電池和超級電容器的方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201410231358.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN105304860B | 公開（公告）日 | 2018-06-29 |
| 申請公布號 | CN105304860B | 申請公布日 | 2018-06-29 |
| 分類號 | H01M4/133;H01M4/1393;H01G11/36;H01G11/86 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊與勝;趙昕 | 申請（專利權）人 | 福建省輝銳材料科技有限公司 |
| 代理機構 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 362000 福建省泉州市泉州臺商投資區(qū)行政辦公大樓5樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種制備石墨烯基底電極及電池和超級電容器的方法，所述方法包括步驟如下：a.在第一襯底上形成第一石墨烯薄膜；b.在第二襯底上形成第二石墨烯薄膜；c.在所述第二石墨烯薄膜上應用抗腐蝕復合物，覆蓋第二石墨烯薄膜形成抗腐蝕涂層；d.干燥所述抗腐蝕劑涂層；e.去除所述第二襯底；f.將所述第二石墨烯薄膜置于所述第一石墨烯薄膜層上并與其接觸形成石墨烯薄膜疊加層；g.從所述石墨烯薄膜疊加層上去除所述抗腐蝕涂層；h.重復步驟b?g，在疊加層上進一步疊加石墨烯薄膜直至獲得需要的石墨烯薄膜疊加層厚度；i.從所述的石墨烯薄膜疊加層底部去除所述第一襯底，形成所述電極。 |
