一種BCD工藝用超高溫條件下滑移線的外延控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210231487.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114613699A 公開（公告）日 2022-06-10
申請公布號 CN114613699A 申請公布日 2022-06-10
分類號 H01L21/67（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 謝進;鄧雪華;王銀海;郭佳龍 申請（專利權）人 南京盛鑫半導體材料有限公司
代理機構 南京蘇高專利商標事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 211110江蘇省南京市江寧區(qū)正方中路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種BCD工藝用超高溫條件下滑移線的外延控制方法,包括步驟：（1）準備溫度控片；（2）反應腔升溫并進行HCL清潔；（3）冷卻至室溫，裝入溫度控片；（4）以恒定的升溫速率升溫至1150?1200℃進行烘烤；（5）取出溫度控片進行化學處理；（6）對溫度控片進行電阻率測試，獲得溫度控片各區(qū)域溫度并進行溫度補償；（7）清洗待外延的硅片并重復步（2）的操作后，將待外延的硅片放入反應腔；以步驟（4）中的升溫速率升溫至預設烘烤溫度并同步進行步驟（6）中的溫度補償，進行烘烤；調(diào)整反應腔溫度至生長溫度，通入SiHCl3、H2并摻雜，外延生長至目標厚度和目標電阻率。本發(fā)明能夠有效控制外延過程中硅片表面的溫度分布，更好控制滑移線的產(chǎn)生。