數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)儲(chǔ)存單元及降低待機(jī)電流的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710805289.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN108305652B | 公開(公告)日 | 2021-06-18 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN108305652B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-18 |
分類號(hào) | G11C11/417 | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
發(fā)明人 | 王立中 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 芯立嘉集成電路(杭州)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王濤 |
地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)青桐路168弄25號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明揭露一種數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)儲(chǔ)存單元及降低待機(jī)電流的方法。包含:多個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)儲(chǔ)存元件,各該數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)儲(chǔ)存元件包含一閂鎖器且連接在一高數(shù)字電壓軌以及一低數(shù)字電壓節(jié)點(diǎn)之間;一開關(guān)裝置,連接在該低數(shù)字電壓節(jié)點(diǎn)以及一接地電壓軌之間,在一待機(jī)期間內(nèi),選擇性地浮接該低數(shù)字電壓節(jié)點(diǎn),可終止因MOSFET裝置的通道擴(kuò)散泄漏電流所引起的連接至接地電壓的主要待機(jī)泄漏電流路徑。在待機(jī)模式下,為保留該數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)儲(chǔ)存元件的儲(chǔ)存數(shù)據(jù),根據(jù)從被低頻振蕩器觸發(fā)的脈波產(chǎn)生器所輸出的多個(gè)矩形電壓脈波,周期性地連接該低數(shù)字電壓節(jié)點(diǎn)至該接地電壓。因?yàn)槌藢⒃摰蛿?shù)位電壓節(jié)點(diǎn)浮接之外,并沒有施加任何外部電壓偏壓至該低數(shù)位電壓節(jié)點(diǎn),故資料恢復(fù)過程是立即的。 |
