屏蔽柵溝槽型MOSFET器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010693343.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111863969A 公開（公告）日 2021-06-01
申請公布號 CN111863969A 申請公布日 2021-06-01
分類號 H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李豪;張杰;胡舜濤;潘曉偉 申請（專利權(quán)）人 中國工商銀行股份有限公司上海市張江科技支行
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)蔡倫路1690號2幢409室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種屏蔽柵溝槽型MOSFET器件及其制造方法。屏蔽柵溝槽型MOSFET器件的制造方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，并在所述半導(dǎo)體襯底上形成溝槽；其中，所述半導(dǎo)體襯底的上表面設(shè)置有第一絕緣層，所述溝槽由所述半導(dǎo)體襯底和所述第一絕緣層圍合而成；在所述溝槽底部形成屏蔽導(dǎo)體；在所述屏蔽導(dǎo)體上形成柵極導(dǎo)體，所述柵極導(dǎo)體的上表面與所述第一絕緣層的上表面齊平；去除所述第一絕緣層，所述柵極導(dǎo)體的上表面高出所述半導(dǎo)體襯底的上表面。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例減小了屏蔽柵溝槽型MOSFET器件的柵極電阻。