納米光-熱伏電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN01113515.8 申請日 -
公開(公告)號 CN1319898A 公開(公告)日 2001-10-31
申請公布號 CN1319898A 申請公布日 2001-10-31
分類號 H01L31/068;H01L31/18;H01L35/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳鐘謀 申請(專利權(quán))人 北京眾謀成新技術(shù)開發(fā)有限責任公司
代理機構(gòu) 江蘇省專利事務所 代理人 何朝旭
地址 210016江蘇省南京市中山東路524號55所
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種納米光-熱伏電池,包括半導體襯底、擴散層、高滲雜擴散層、電極、離子注入層。離子注入層夾在襯底與高滲雜擴散層之間,形成兩個PN結(jié)。高滲雜擴散層覆蓋離子注入層,使其厚度在1nm-100nm之間。同時本發(fā)明還給出了該電池的制備方法,包括氧化、光刻、擴散、離子注入、低壓真空化學淀積、蒸鋁等步驟。本發(fā)明真正實現(xiàn)了將太陽光能、輻射熱能以及光電轉(zhuǎn)換過程中的熱能均轉(zhuǎn)換成電能,因此轉(zhuǎn)換效率大大提高,性價比產(chǎn)生了飛躍,可以工業(yè)化生產(chǎn)。