一種測量半導體熱阻的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910251031.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109975349B 公開（公告）日 2022-01-21
申請公布號 CN109975349B 申請公布日 2022-01-21
分類號 G01N25/20（2006.01）I;G01R31/28（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 郭宇程;鄧海東;方永新;孫順清;黃珂明;廖澤雄 申請（專利權）人 晶晨半導體（上海）股份有限公司
代理機構 上海申新律師事務所 代理人 俞滌炯
地址 201203上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿易試驗區(qū)碧波路518號207室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種測量半導體熱阻的方法，其中包括，步驟S1、提供數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)，數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)包括記錄儀，記錄儀預先記錄嵌入式系統(tǒng)的環(huán)境溫度；步驟S2、關閉嵌入式系統(tǒng)的溫度控制，使得嵌入式系統(tǒng)運行于預設工作頻率下測試嵌入式系統(tǒng)的CPU的溫度差；步驟S3、記錄儀記錄與嵌入式系統(tǒng)的集成芯片相關的電源電壓以及對應電源電壓的電流，并將電源電壓以及對應電源電壓的電流與溫度差記錄至熱阻參數(shù)表格；步驟S4、對照熱阻參數(shù)表格以比較不同散熱材質之間的熱阻大小。有益效果：通過多點測量，測量精度高，節(jié)省人力，對整機功耗及各個分支功耗數(shù)據(jù)進行記錄，計算方便，能夠尋找到最好的散熱材質，降低芯片制造成本。