超高電容MEMS封裝載板及其制作工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111444168.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114195090A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114195090A 申請公布日 2022-03-18
分類號 B81C1/00（2006.01）I;B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 馬洪偉;劉浩 申請（專利權(quán)）人 江蘇普諾威電子股份有限公司
代理機構(gòu) 昆山中際國創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孫海燕
地址 215300江蘇省蘇州市昆山市千燈鎮(zhèn)宏洋路318號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種超高電容MEMS封裝載板及其制作工藝，所述制作工藝包括如下步驟：開料、內(nèi)層線路：進(jìn)行壓干膜、曝光、顯影、蝕刻和退膜處理、壓合、機械鉆孔、鐳射鉆孔及填孔、外層線路：進(jìn)行壓干膜、曝光、顯影、蝕刻和退膜處理、阻焊和成型；通過上述制作工藝得到的埋容四層板具有相互并聯(lián)的雙層電容層，因此具有超高的電容密度，從而極大地提升了PCB產(chǎn)品電容值，使得產(chǎn)品性能得到了明顯的提高。