高填孔比五層埋容MEMS封裝載板及其制作工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111444159.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114132886A 公開（公告）日 2022-03-04
申請公布號 CN114132886A 申請公布日 2022-03-04
分類號 B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 馬洪偉;陸敏晨 申請（專利權(quán)）人 江蘇普諾威電子股份有限公司
代理機構(gòu) 昆山中際國創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孫海燕
地址 215300江蘇省蘇州市昆山市千燈鎮(zhèn)宏洋路318號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高填孔比五層埋容MEMS封裝載板及其制作工藝，所述制作工藝包括如下步驟：開料、內(nèi)層線路、第一次壓合、第一次減銅、第一次鐳射燒鈀定位、鐳射鉆孔及填孔、第二次壓合、第二次減銅、第二次鐳射燒鈀定位、鐳射鉆孔及填孔、外層線路和鐳射燒槽，通過上述步驟制成的封裝載板為不對稱結(jié)構(gòu)的五層板，從而實現(xiàn)了在不對稱結(jié)構(gòu)下仍具有超高的平整度的目的，解決了五層埋容MEMS封裝載板翹曲難以控制的問題。