一種用于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的進(jìn)氣噴頭結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010269018.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101914762B 公開（公告）日 2013-03-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN101914762B 申請(qǐng)公布日 2013-03-06
分類號(hào) C23C16/455(2006.01)I;C23C16/18(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 冉軍學(xué);胡國(guó)新;梁勇;王軍喜;段瑞飛;曾一平;李晉閩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東省中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 廣東省中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
地址 510530 廣東省廣州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學(xué)城開源大道11號(hào)A4棟首層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的進(jìn)氣噴頭結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括進(jìn)氣頂盤法蘭和水冷勻氣板，該進(jìn)氣頂盤法蘭為一圓形金屬盤狀結(jié)構(gòu)，中間為圓形凹坑，沿圓形凹坑徑向用板條隔開，分為2n個(gè)扇形區(qū)，n為大于1的整數(shù)；該水冷勻氣板分為有機(jī)源水冷勻氣板和氫化物氣體水冷勻氣板，每一個(gè)扇形區(qū)對(duì)應(yīng)一個(gè)水冷勻氣板。利用本發(fā)明，可以使反應(yīng)氣體均勻的進(jìn)入反應(yīng)室內(nèi)，使反應(yīng)室內(nèi)氣體達(dá)到均勻生長(zhǎng)的氣流模式。