薄膜生長腔室和薄膜生長設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610177630.5 申請日 -
公開（公告）號 CN105803424A 公開（公告）日 2016-07-27
申請公布號 CN105803424A 申請公布日 2016-07-27
分類號 C23C16/455(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 胡國新;肖蘊章;冉軍學;胡強;何斌;黎天韻;朱正濤;鐘山;蔣國文;王其忻 申請（專利權(quán)）人 廣東省中科宏微半導體設(shè)備有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 廣東省中科宏微半導體設(shè)備有限公司
地址 510670 廣東省廣州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學城開源大道11號A4首層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種薄膜生長腔室和薄膜生長設(shè)備，該薄膜生長腔室為環(huán)形腔室；環(huán)形腔室內(nèi)具有至少一個托盤放置區(qū)，托盤放置區(qū)用于放置承載有待生長薄膜的基片的扇形托盤；環(huán)形腔室的頂面具有至少一個進氣結(jié)構(gòu)，進氣結(jié)構(gòu)包括進氣孔和與進氣孔連接的扇形勻氣裝置，每一勻氣裝置位于至少一個托盤放置區(qū)的上方，勻氣裝置用于將進氣孔通入的氣體均勻噴放到下方的托盤放置區(qū)，以使托盤放置區(qū)放置的扇形托盤承載的基片表面生成均勻的薄膜。本發(fā)明中的環(huán)形腔室可以無限制地擴大，只要環(huán)形腔室擴大區(qū)域的頂面上設(shè)置有進氣結(jié)構(gòu)，就能提供滿足薄膜均勻生長需求的均勻氣體，從而能夠提高薄膜生長設(shè)備的產(chǎn)能。