用于金屬有機(jī)物化學(xué)沉積設(shè)備的氣路裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010033967.1 申請日 -
公開（公告）號 CN101812671B 公開（公告）日 2012-06-06
申請公布號 CN101812671B 申請公布日 2012-06-06
分類號 C23C16/18(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 冉軍學(xué);王曉亮;胡國新;肖紅領(lǐng);張露;殷海波;李晉閩 申請（專利權(quán)）人 廣東省中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;廣東省中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種用于金屬有機(jī)物化學(xué)沉積(MOCVD)設(shè)備的氣路裝置，其包括：氣體入口；從所述氣體入口引出的并行布置的多組氣路，每一組氣路包括并行布置的第一子氣路和第二子氣路，第一子氣路和第二子氣路中的每一個(gè)都能夠選擇性地與生長室連通和與排空通道連通。其中：氣體通過一組氣路時(shí)，氣體選擇性地流過該組氣路中第一子氣路和第二子氣路中的一個(gè)；且第一子氣路上設(shè)置有第一流量計(jì)，第二子氣路上設(shè)置有第二流量計(jì)，所述第一流量計(jì)的最大量程大于第二流量計(jì)的最大量程。本發(fā)明通過大量程和小量程流量計(jì)及相應(yīng)的氣路切換的設(shè)計(jì)，在一臺MOCVD設(shè)備中實(shí)現(xiàn)氣體由大流量到小流量的精確控制，從而實(shí)現(xiàn)不同工藝條件下的高質(zhì)量的材料外延生長。