一種用于混晶化學(xué)氣相外延的進(jìn)氣裝置
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610339091.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN105926035A | 公開(公告)日 | 2016-09-07 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN105926035A | 申請(qǐng)公布日 | 2016-09-07 |
分類號(hào) | C30B25/14(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 蔣國文;冉軍學(xué);何斌;黎天韻;胡國新;王其忻;胡強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 廣東省中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 廣東省中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 |
地址 | 510670 廣東省廣州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學(xué)城開源大道11號(hào)A4首層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種用于混晶化學(xué)氣相外延的進(jìn)氣裝置,包括:設(shè)置在生長室上的混氣裝置,混氣裝置上劃分有第一預(yù)設(shè)數(shù)量的混氣區(qū)域;與混氣區(qū)域的入口導(dǎo)通的第二預(yù)設(shè)數(shù)量的進(jìn)氣通道,混氣區(qū)域的出口與生長室導(dǎo)通;進(jìn)氣通道用于各種反應(yīng)氣體的輸入;混氣區(qū)域用于預(yù)反應(yīng)程度差值在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)的反應(yīng)氣體的盛放。使用時(shí),將各種反應(yīng)氣體通過進(jìn)氣通道輸送到各自對(duì)應(yīng)的混氣區(qū)域,其中,同一混氣區(qū)域盛放的為反應(yīng)氣體中預(yù)反應(yīng)程度接近的氣體,最后,所有反應(yīng)氣體進(jìn)入生長室進(jìn)行晶體生長。本發(fā)明將各種反應(yīng)氣體分開輸送到各自對(duì)應(yīng)的混氣區(qū)域,在輸入的過程中,可各自調(diào)節(jié),且將預(yù)反應(yīng)程度相差多的區(qū)分開,降低了預(yù)反應(yīng),提高了混晶的晶體質(zhì)量。 |
