薄膜生長腔室和薄膜生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610179954.2 申請日 -
公開（公告）號 CN105624648B 公開（公告）日 2018-05-01
申請公布號 CN105624648B 申請公布日 2018-05-01
分類號 C23C16/455;C23C16/34 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 胡國新;肖蘊章;胡強;冉軍學;何斌;黎天韻;朱正濤;鐘山;蔣國文;王其忻 申請（專利權）人 廣東省中科宏微半導體設備有限公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 廣東省中科宏微半導體設備有限公司
地址 510670 廣東省廣州市高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學城開源大道11號A4首層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種薄膜生長腔室和薄膜生長裝置，薄膜生長腔室為方形腔室；方形腔室內具有至少一個托盤放置區(qū)，托盤放置區(qū)用于放置承載有待生長薄膜的基片的方形托盤；方形腔室的頂面具有至少一個進氣結構，進氣結構包括進氣孔和與進氣孔連接的方形勻氣裝置，每一勻氣裝置位于至少一個托盤放置區(qū)的上方，勻氣裝置用于將進氣孔通入的氣體均勻噴放到下方的托盤放置區(qū)，以使托盤放置區(qū)放置的方形托盤承載的基片表面生成均勻的薄膜。本發(fā)明中的方形腔室可以無限制地擴大，只要擴大的頂面上設置有進氣結構，就能為下方的方形托盤內的基片提供滿足薄膜均勻生長需求的均勻氣體，從而能夠提高薄膜生長裝置的產(chǎn)能。