襯底托盤、襯底定位方法及襯底定位系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510585911.X 申請日 -
公開（公告）號 CN105063575B 公開（公告）日 2018-05-15
申請公布號 CN105063575B 申請公布日 2018-05-15
分類號 C23C16/458;C23C16/52 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 蔣國文;冉軍學(xué);王其忻;胡強(qiáng) 申請（專利權(quán)）人 廣東省中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 廣東省中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
地址 510670 廣東省廣州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學(xué)城開源大道11號A4首層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種襯底托盤、襯底定位方法及襯底定位系統(tǒng)，襯底托盤設(shè)置有多個沿反射率監(jiān)控圓環(huán)間隔設(shè)置的第一襯底放置區(qū)至第N襯底放置區(qū)；其中，自第一襯底放置區(qū)起，相鄰兩個襯底放置區(qū)的間隔分別為第一間隔至第N間隔，第一間隔至第N間隔中包括有至少一個定位間隔，且其余間隔的距離相同，定位間隔的距離與任意相鄰襯底放置區(qū)的間隔的距離不同。獲取采集反射率數(shù)據(jù)并繪制為反射率柱形圖，由于在襯底托盤的第一間隔至第N間隔中設(shè)置至少一個定位間隔，進(jìn)而通過相鄰襯底放置區(qū)的間隔的距離和反射率柱形圖中相鄰柱形的間隔的距離對定位間隔進(jìn)行確定，并通過襯底托盤的轉(zhuǎn)動方向，以最終確定發(fā)射率柱形圖中每個柱形所對應(yīng)的襯底。