薄膜生長腔室和薄膜生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610179954.2 申請日 -
公開（公告）號 CN105624648A 公開（公告）日 2016-06-01
申請公布號 CN105624648A 申請公布日 2016-06-01
分類號 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 胡國新;肖蘊(yùn)章;胡強(qiáng);冉軍學(xué);何斌;黎天韻;朱正濤;鐘山;蔣國文;王其忻 申請（專利權(quán)）人 廣東省中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 廣東省中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
地址 510670 廣東省廣州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學(xué)城開源大道11號A4首層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種薄膜生長腔室和薄膜生長裝置，薄膜生長腔室為方形腔室；方形腔室內(nèi)具有至少一個托盤放置區(qū)，托盤放置區(qū)用于放置承載有待生長薄膜的基片的方形托盤；方形腔室的頂面具有至少一個進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，進(jìn)氣結(jié)構(gòu)包括進(jìn)氣孔和與進(jìn)氣孔連接的方形勻氣裝置，每一勻氣裝置位于至少一個托盤放置區(qū)的上方，勻氣裝置用于將進(jìn)氣孔通入的氣體均勻噴放到下方的托盤放置區(qū)，以使托盤放置區(qū)放置的方形托盤承載的基片表面生成均勻的薄膜。本發(fā)明中的方形腔室可以無限制地擴(kuò)大，只要擴(kuò)大的頂面上設(shè)置有進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，就能為下方的方形托盤內(nèi)的基片提供滿足薄膜均勻生長需求的均勻氣體，從而能夠提高薄膜生長裝置的產(chǎn)能。