用于金屬化學(xué)氣相沉積設(shè)備反應(yīng)室的進(jìn)氣噴淋頭
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201110451659.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN102492937A | 公開(kāi)(公告)日 | 2012-06-13 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN102492937A | 申請(qǐng)公布日 | 2012-06-13 |
分類號(hào) | C23C16/455(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 冉軍學(xué);胡強(qiáng);梁勇;胡國(guó)新;王軍喜;曾一平;李晉閩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 廣東省中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;廣東省中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 |
地址 | 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種用于金屬化學(xué)氣相沉積設(shè)備反應(yīng)室的進(jìn)氣噴淋頭,包括:一混氣室,該混氣室為一桶狀,在混氣室的上面或側(cè)面連通有多個(gè)進(jìn)氣通道;一冷卻勻氣噴頭,固接于混氣室的下面。其中冷卻勻氣噴頭包括:一上蓋板、一下蓋板和側(cè)壁,該上蓋板、一下蓋板和側(cè)壁構(gòu)成密封的空間,該上蓋板和下蓋板之間貫通有多個(gè)進(jìn)氣通道,該進(jìn)氣通道的周圍及上蓋板和下蓋板之間為冷卻通道。 |
