一種雙85抗PID多晶太陽能電池片的制作工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710486047.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107093652B 公開（公告）日 2020-02-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN107093652B 申請(qǐng)公布日 2020-02-21
分類號(hào) H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱金浩;蔣劍波;朱世杰;許布;陳玨榮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江光隆能源科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 嘉興永航專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 蔡鼎
地址 314406 浙江省嘉興市海寧市斜橋鎮(zhèn)新建路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種雙85抗PID多晶太陽能電池片的制作工藝。它解決了現(xiàn)有光伏組件的PID現(xiàn)象較為嚴(yán)重，造成電池片和組件功率出現(xiàn)大幅度下降等技術(shù)問題。本雙85抗PID多晶太陽能電池片的制作工藝，包括如下步驟：a、將經(jīng)過清洗制絨、擴(kuò)散、刻蝕后的晶體硅片通過臭氧發(fā)生裝置在晶體硅片表面生成一層1?2nm的SiO2氧化膜；b、將步驟a中完成的晶體硅片通過裝卸片系統(tǒng)裝到石墨舟上，將其放入管式PECVD進(jìn)行預(yù)沉積；c、將步驟b中完成后的晶體硅片用管式PECVD進(jìn)行沉積；d、將步驟c中完成后的晶體硅片用管式PECVD進(jìn)行再次沉積；e、通過裝卸片系統(tǒng)對(duì)石墨舟的晶體硅片進(jìn)行冷卻，并將晶體硅片取下。本發(fā)明具有產(chǎn)品性能好的優(yōu)點(diǎn)。