發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110317555.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112992964A | 公開（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112992964A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-18 |
| 分類號(hào) | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/44;H01L33/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 莊永漳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 鐳昱光電科技（蘇州）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王鋒 |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)星湖街328號(hào)創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園1-B302 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法。所述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包括基板和形成在基板上的多個(gè)LED單元。每個(gè)LED單元包括：鍵合層，其形成在基板上；第一摻雜型半導(dǎo)體層，其形成在鍵合層上；第二摻雜型半導(dǎo)體層，其形成在第一摻雜型半導(dǎo)體層上；鈍化層，其形成在第二摻雜型半導(dǎo)體層上和第一摻雜型半導(dǎo)體層的一部分上；以及，電極層，其形成在鈍化層的一部分上并與第二摻雜型半導(dǎo)體層接觸。所述多個(gè)LED單元包括第一LED單元和與第一LED單元相鄰的第二LED單元。第一LED單元的第一摻雜型半導(dǎo)體層水平地延伸至與第一LED單元相鄰的第二LED單元的第一摻雜型半導(dǎo)體層，并且第一LED單元和第二LED單元是可單獨(dú)工作的LED單元。 |
