發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110322711.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112864290A | 公開（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112864290A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-28 |
| 分類號(hào) | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 莊永漳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 鐳昱光電科技（蘇州）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王鋒 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)星湖街328號(hào)創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園1-B302 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種LED結(jié)構(gòu)，包括基板、鍵合層、第一摻雜型半導(dǎo)體層、多重量子阱層(MQW層)、第二摻雜型半導(dǎo)體層、鈍化層以及電極層。鍵合層形成在基板上，并且第一摻雜型半導(dǎo)體層形成在鍵合層上。MQW層形成在第一摻雜型半導(dǎo)體層上，第二摻雜型半導(dǎo)體層形成在MQW層上。第二摻雜型半導(dǎo)體層包括通過離子注入制成的隔離材料，并且鈍化層形成在第二摻雜型半導(dǎo)體層上。電極層形成在鈍化層上，通過鈍化層上的第一開口與第二摻雜型半導(dǎo)體層的一部分接觸。?? |
