一種超高壓P溝道SiC-IGBT器件材料及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010439522.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111682063A 公開（公告）日 2020-09-18
申請公布號 CN111682063A 申請公布日 2020-09-18
分類號 H01L29/739(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊旭騰;韓景瑞;孫國勝;周澤成 申請（專利權）人 廣東天域半導體股份有限公司
代理機構 廣東莞信律師事務所 代理人 東莞市天域半導體科技有限公司
地址 523000廣東省東莞市松山湖北部工業(yè)城工業(yè)北一路5號二樓辦公樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及P溝道SiC?IGBT器件技術領域，具體涉及一種超高壓P溝道SiC?IGBT器件材料及其制造方法，超高壓P溝道SiC?IGBT器件材料，包括如下由下而上依次層疊的材料層：碳化硅襯底；N+緩沖層，厚度為0.8?1.2μm，控制硅碳比為0.9?1.01，摻雜氣體N2的摻雜濃度為(1.5?2.5)*1018cm?3；P+緩沖層；P?耐壓層，厚度為250μm以上，碳硅比1.32?1.50之間；P?集電層。本發(fā)明通過提高P?耐壓層的厚度，設計厚度在250μm以上，使P溝道SiC?IGBT器件材料可以耐受25kV的電壓，遠遠高于現有一般P溝道IGBT器件材料15kV的耐壓值。??