一種降低外延片堆垛層錯(cuò)缺陷的外延方法及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010439296.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111681947A 公開（公告）日 2020-09-18
申請公布號 CN111681947A 申請公布日 2020-09-18
分類號 H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李云廷;馮禹;姚曉杰;孔令沂 申請（專利權(quán)）人 廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東莞信律師事務(wù)所 代理人 東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司
地址 523000廣東省東莞市松山湖北部工業(yè)城工業(yè)北一路5號二樓辦公樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種降低外延片堆垛層錯(cuò)缺陷的外延方法，包括以下步驟：S1、將襯底放置于反應(yīng)室內(nèi)的生長位置；S2、向反應(yīng)室內(nèi)通入氫氣，升溫，在氫氣氛圍下刻蝕10～20min；S3、向反應(yīng)室內(nèi)通入乙烯和三氯氫硅氣體直到C/Si比值為0.9～1.2，低速生長第一外延緩沖層；S4、向反應(yīng)室內(nèi)繼續(xù)通入乙烯及三氯氫硅氣體直到C/Si比值為0.6～0.9，低速生長第二外延緩沖層；S5、停止向反應(yīng)室內(nèi)通入乙烯和三氯氫硅，并降溫，在氫氣氛圍下刻蝕4～10min；S6、逐漸增加乙烯和三氯氫硅的流量直到C/Si比值為1.0～1.2，高速生長外延層，形成外延片；S7、降低反應(yīng)室溫度，取出外延片并進(jìn)行檢測、清洗和封裝。??