一種改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021001501.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212553303U | 公開（公告）日 | 2021-02-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212553303U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-19 |
| 分類號(hào) | B24B37/10(2012.01)I; | 分類 | 磨削；拋光; |
| 發(fā)明人 | 藍(lán)寶;李清彬;韓景瑞;周澤成;楊旭騰;邱樹杰;馮禹 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣東莞信律師事務(wù)所 | 代理人 | 謝樹宏 |
| 地址 | 523000廣東省東莞市松山湖北部工業(yè)城工業(yè)北一路5號(hào)二樓辦公樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種改變SiC晶片翹曲度的拋光裝置，包括機(jī)架和可轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置于所述機(jī)架上的拋光盤，所述拋光盤上固定有一拋光墊，所述拋光墊邊緣處至少設(shè)有一可轉(zhuǎn)動(dòng)并可下壓的拋光頭組件，所述拋光頭組件底部設(shè)有用于收容晶片的收容槽，所述收容槽底部設(shè)有用于吸附所述晶片的吸氣通道。本實(shí)用新型利用拋光頭組件吸附晶片并將晶片下壓至旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，拋光晶片，使晶片翹曲面平坦化。?? |
