一種采用金剛石拋光膏的碳化硅晶片快速拋光方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010500927.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111745468A | 公開（公告）日 | 2020-10-09 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111745468A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-09 |
| 分類號(hào) | B24B1/00(2006.01)I;B24B29/02(2006.01)I | 分類 | 磨削；拋光; |
| 發(fā)明人 | 卓俊輝;謝紹棕;孔令沂;姚曉杰;李錫光;鄒雄輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣東莞信律師事務(wù)所 | 代理人 | 東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 523000廣東省東莞市松山湖北部工業(yè)城工業(yè)北一路5號(hào)二樓辦公樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種采用金剛石拋光膏的碳化硅晶片快速拋光方法，包括如下步驟：將SiC晶片裝好在放置裝置的無蠟吸附墊上；在拋光墊上涂抹粒徑為0.2～1.0μm金剛石拋光膏；將所述放置裝置放置于拋光設(shè)備上，將所述拋光設(shè)備的磨拋壓力設(shè)置為25～255g/cm2、拋光盤轉(zhuǎn)速為30～60rpm，拋光頭轉(zhuǎn)速為10～55rpm；往所述拋光盤中加入1～20ml/min的液體對(duì)所述SiC晶片執(zhí)行拋光操作，且每間隔20～60分鐘補(bǔ)涂所述金剛石拋光膏；對(duì)SiC晶片進(jìn)行清洗及檢測(cè)，拋光完畢。本發(fā)明可以快速拋光碳化硅晶片表面，該方法還能使生產(chǎn)出的碳化硅晶片擁有低損傷層和低表面粗糙度。?? |
