一種采用金剛石拋光膏的碳化硅晶片快速拋光方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010500927.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111745468A 公開（公告）日 2020-10-09
申請公布號 CN111745468A 申請公布日 2020-10-09
分類號 B24B1/00(2006.01)I;B24B29/02(2006.01)I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 卓俊輝;謝紹棕;孔令沂;姚曉杰;李錫光;鄒雄輝 申請（專利權）人 廣東天域半導體股份有限公司
代理機構 廣東莞信律師事務所 代理人 東莞市天域半導體科技有限公司
地址 523000廣東省東莞市松山湖北部工業(yè)城工業(yè)北一路5號二樓辦公樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體材料技術領域，尤其涉及一種采用金剛石拋光膏的碳化硅晶片快速拋光方法，包括如下步驟：將SiC晶片裝好在放置裝置的無蠟吸附墊上；在拋光墊上涂抹粒徑為0.2～1.0μm金剛石拋光膏；將所述放置裝置放置于拋光設備上，將所述拋光設備的磨拋壓力設置為25～255g/cm2、拋光盤轉速為30～60rpm，拋光頭轉速為10～55rpm；往所述拋光盤中加入1～20ml/min的液體對所述SiC晶片執(zhí)行拋光操作，且每間隔20～60分鐘補涂所述金剛石拋光膏；對SiC晶片進行清洗及檢測，拋光完畢。本發(fā)明可以快速拋光碳化硅晶片表面，該方法還能使生產出的碳化硅晶片擁有低損傷層和低表面粗糙度。??