一種SiC化學氣相沉積設(shè)備反應(yīng)腔配件清潔方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010452392.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111663115A 公開（公告）日 2020-09-15
申請公布號 CN111663115A 申請公布日 2020-09-15
分類號 C23C16/44(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 梁土欽;孔令沂;韓景瑞;楊旭騰;周澤成;李錫光;鄒雄輝 申請（專利權(quán)）人 廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 廣東莞信律師事務(wù)所 代理人 東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司
地址 523000廣東省東莞市松山湖北部工業(yè)城工業(yè)北一路5號二樓辦公樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及SiC化學氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種SiC化學氣相沉積設(shè)備反應(yīng)腔配件清潔方法，包括如下步驟：(1)機械摩擦；(2)除塵；(3)超聲清洗；(4)高溫純化：將配件置于高溫爐中并通入氣體進行純化，控制高溫爐的氣壓為50?300mbar，溫度為1300?1700℃，持續(xù)30?240min，通入的氣體中，H2流量為30?50slm，HCl流量為100?1000sccm。本發(fā)明首先通過機械摩擦、除塵和超聲清洗的方式去除配件表面明顯的沉積物，而后利用氯化氫氣體以及高溫條件對配件進行純化，去除沉積物雜質(zhì)，本發(fā)明清洗過程不損壞原有涂層，而清洗后的配件的表面也較為平整，滿足配件繼續(xù)使用的要求。??