一種漸變式PN結(jié)材料的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010501945.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111769034A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111769034A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-13 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 韓景瑞;楊旭騰;孔令沂;周澤成;邱樹(shù)杰;馮禹 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣東莞信律師事務(wù)所 | 代理人 | 東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 523000廣東省東莞市松山湖北部工業(yè)城工業(yè)北一路5號(hào)二樓辦公樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種漸變式PN結(jié)材料的制備方法，包括如下步驟：設(shè)定LPCVD的生長(zhǎng)條件外延緩變層；生長(zhǎng)條件通過(guò)如下方法設(shè)置：(1)設(shè)定部分生長(zhǎng)條件；(2)設(shè)定緩變層載流子濃度的最大值a和最小值b以及對(duì)應(yīng)摻雜源的最大流速c和最小流速d；(3)根據(jù)緩變層的厚度和生長(zhǎng)速率計(jì)算得到生長(zhǎng)時(shí)間e；(4)在通入生長(zhǎng)氣體和載氣氣體后，通入最大流速c的摻雜源，然后控制摻雜源的質(zhì)量逐漸減少，在生長(zhǎng)時(shí)間e結(jié)束時(shí)，控制摻雜源的質(zhì)量為最小流速d。通過(guò)外延法在外延層制備緩變結(jié)技術(shù)較為容易，制備的緩變結(jié)的載流子濃度隨厚度變化的線性關(guān)系較好，形成的緩變結(jié)質(zhì)量較為穩(wěn)定，緩變結(jié)內(nèi)晶體點(diǎn)缺陷少，緩變結(jié)質(zhì)量穩(wěn)定。?? |
