一種抑制外延邊緣Crown缺陷的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110771412.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113488375A 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN113488375A 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 韓景瑞;李浩然;孔令沂;楊旭騰;梁土欽;李錫光 申請（專利權(quán)）人 廣東天域半導體股份有限公司
代理機構(gòu) 廣東莞信律師事務(wù)所 代理人 李錦華
地址 523000廣東省東莞市松山湖北部工業(yè)城工業(yè)北一路5號二樓辦公樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種抑制外延邊緣Crown缺陷的方法：在襯底上進行外延生長，所述襯底包括內(nèi)部斜切形成的偏角部以及圍繞偏角部的平臺部，外延生長時，平臺部的上方設(shè)置有遮擋件，所述遮擋件的底面與平臺部的上表面的高度差為0.1?0.3mm。本發(fā)明在生長外延時，使用遮擋件遮擋住襯底邊緣的平臺部，即襯底邊緣無臺階結(jié)構(gòu)的位置，由于未被遮擋的偏角部是具有斜切形成的臺階結(jié)構(gòu)的，因此偏角部仍能以臺階流的生長模式進行生長，而被遮擋的平臺部生長氣體難以進入，沉積效率極為低下，幾乎無法沉積，因此可以避免平臺部通過二維生長模式而形成Crown狀缺，從而保障了單一晶型的生長并且成功抑制了邊緣缺陷的形成。