一種抑制外延邊緣Crown缺陷的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110771412.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113488375A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN113488375A 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類(lèi)號(hào) H01L21/02（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 韓景瑞;李浩然;孔令沂;楊旭騰;梁土欽;李錫光 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東莞信律師事務(wù)所 代理人 李錦華
地址 523000廣東省東莞市松山湖北部工業(yè)城工業(yè)北一路5號(hào)二樓辦公樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種抑制外延邊緣Crown缺陷的方法：在襯底上進(jìn)行外延生長(zhǎng)，所述襯底包括內(nèi)部斜切形成的偏角部以及圍繞偏角部的平臺(tái)部，外延生長(zhǎng)時(shí)，平臺(tái)部的上方設(shè)置有遮擋件，所述遮擋件的底面與平臺(tái)部的上表面的高度差為0.1?0.3mm。本發(fā)明在生長(zhǎng)外延時(shí)，使用遮擋件遮擋住襯底邊緣的平臺(tái)部，即襯底邊緣無(wú)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的位置，由于未被遮擋的偏角部是具有斜切形成的臺(tái)階結(jié)構(gòu)的，因此偏角部仍能以臺(tái)階流的生長(zhǎng)模式進(jìn)行生長(zhǎng)，而被遮擋的平臺(tái)部生長(zhǎng)氣體難以進(jìn)入，沉積效率極為低下，幾乎無(wú)法沉積，因此可以避免平臺(tái)部通過(guò)二維生長(zhǎng)模式而形成Crown狀缺，從而保障了單一晶型的生長(zhǎng)并且成功抑制了邊緣缺陷的形成。