光子測量裝置及光子測量設(shè)備
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010698734.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN111694043A | 公開(公告)日 | 2020-09-22 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111694043A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-22 |
分類號(hào) | G01T1/202(2006.01)I;G01T1/16(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 彭旗宇;楊靜梧;謝思維;王宇黎;袁東升 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 中派科技(深圳)有限責(zé)任公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京睿邦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 徐丁峰;戴亞南 |
地址 | 518063廣東省深圳市南山區(qū)科技南十二路18號(hào)長虹科技大廈903 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開一種光子測量裝置和光子測量設(shè)備。裝置包括:反應(yīng)晶體,反應(yīng)晶體包括一個(gè)或多個(gè)晶體單元;電容導(dǎo)體,電容導(dǎo)體包括與一個(gè)或多個(gè)晶體單元一一對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體對(duì),每個(gè)導(dǎo)體對(duì)包括分別布置在對(duì)應(yīng)晶體單元的相對(duì)的兩側(cè)的第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體,其中,每個(gè)晶體單元與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體對(duì)構(gòu)成一個(gè)或多個(gè)晶體電容單元,每個(gè)晶體電容單元包括屬于對(duì)應(yīng)晶體單元的任一晶體區(qū)域以及夾在該晶體區(qū)域兩側(cè)的屬于對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)體的第一導(dǎo)體區(qū)域和屬于對(duì)應(yīng)第二導(dǎo)體的第二導(dǎo)體區(qū)域;檢測電路,與電容導(dǎo)體連接,用于檢測所有晶體電容單元的介電常數(shù)的變化情況,并基于變化情況確定與反應(yīng)晶體發(fā)生反應(yīng)的高能光子的到達(dá)時(shí)間。上述裝置和設(shè)備可實(shí)現(xiàn)高精度時(shí)間測量。?? |
