一種高阻抗膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911243381.5 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN110885967A 公開（公告）日 2020-03-17
申請公布號(hào) CN110885967A 申請公布日 2020-03-17
分類號(hào) C23C14/35;C23C14/08 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 夏偉;張兵;鄭建軍;張成金;姚仕軍;方添志;趙帥 申請（專利權(quán)）人 天津美泰真空技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津合正知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 天津美泰真空技術(shù)有限公司
地址 301609 天津市靜海區(qū)大豐堆鎮(zhèn)靳莊子村南200米
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種高阻抗膜的制備方法，該方法包括如下步驟：采用磁控濺射法在玻璃基板上鍍膜，所用靶材為含銦復(fù)合材料，濺射室的壓強(qiáng)抽到1.5?3.5×10?3Pa，工作氣體為氬氣，濺射壓強(qiáng)為0.3?1.0Pa。本發(fā)明所述的高阻抗膜具有較高的表面電阻值、較好的防靜電效果和較好的抗干擾效果。