用于制造具有分裂柵極結(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體器件的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011223885.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114446791A 公開（公告）日 2022-05-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN114446791A 申請(qǐng)公布日 2022-05-06
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何志;保羅·奧爾甘蒂尼;馬哈茂德·謝哈布·穆罕默德·艾爾-薩迪;亞歷山德羅·蒙塔格納;安俊杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫錫產(chǎn)微芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京允天律師事務(wù)所 代理人 李建航
地址 214028江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園E1-10層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 制造具有分裂柵極結(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體器件的方法，提供：在襯底上形成單或多層外延層；形成穿過外延層的溝槽，其從外延層頂表面沿橫向于頂表面豎直方向延伸；用電介質(zhì)區(qū)域和導(dǎo)電屏蔽板元件填充溝槽，屏蔽板元件包括從下面的電介質(zhì)區(qū)域突出的上部分和向內(nèi)豎直于電介質(zhì)區(qū)域延伸的底部分；氧化屏蔽板元件的上部分以在外延層的頂表面處在溝槽中形成隔離區(qū)域，屏蔽板元件的底部分限定分裂柵極結(jié)構(gòu)底部；在溝槽內(nèi)表面上在相同溝槽上部處，在電介質(zhì)區(qū)域上方形成柵極氧化物區(qū)域；橫向于分離區(qū)域形成分裂柵極結(jié)構(gòu)的頂柵部分，其填充外延層頂表面處的溝槽。該方法提供在形成柵極氧化物區(qū)域前始于屏蔽板元件上部分形成犧牲氧化物區(qū)域及后續(xù)蝕刻犧牲氧化物區(qū)域。